发光二极管外延片制备方法
授权
摘要
本公开提供了发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管制作领域。在衬底上先生长复合层，复合层包括依次层叠在衬底上的第一AlInGaN层、AlGaN层及第二AlInGaN层，AlGaN层上具有多个相互间隔的且延伸至衬底的凹槽。暴露的第一AlInGaN层可以与第二AlInGaN层相接，缺陷会被凹槽侧壁暴露的第一AlInGaN层与AlGaN层阻挡。第二AlInGaN层的Al原子及In原子半径较大，促进第二AlInGaN层的快速生长的同时，有效提高第二AlInGaN层的质量，并提高在第二AlInGaN层生长的n型GaN层及多量子阱层的晶体质量，最终得到的发光二极管外延片的质量可以得到有效提高。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管外延片制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112993101A
申请号 ：
CN202110250482.6
公开（公告）日 ：
2021-06-18
申请日 ：
2021-03-08
授权号 ：
CN112993101B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
曹阳梅劲
申请人 ：
华灿光电（浙江）有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202110250482.6
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/06 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-07-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/12
申请日 : 20210308
申请日 : 20210308
2021-06-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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