发光二极管外延片制备方法
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摘要

本发明公开了发光二极管外延片制备方法,属于发光二极管制作领域。在通入一段时间有机金属源进入反应腔后,金属有机化合物化学气相淀积设备的喷头处也会留下部分氮化物的附着物颗粒,间歇性地向反应腔内通入有机金属源,并在每次停止向反应腔内通入有机金属源的期间,反应腔内同时通入载气与氯气,氯气进入反应腔内之前会先与附着在喷头上的附着物颗粒之间反应,并形成气态氯化物。喷头上会附着的氮化物的附着物颗粒与氯气反应并以气态状最后会排出反应腔,由此减小喷头上附着的氮化物的附着物颗粒,会落入氮化物外延层内的附着物颗粒减少,氮化物外延层的晶体质量与表面平整度均会得到提高。

基本信息
专利标题 :
发光二极管外延片制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112687769A
申请号 :
CN202011443563.X
公开(公告)日 :
2021-04-20
申请日 :
2020-12-08
授权号 :
CN112687769B
授权日 :
2022-04-15
发明人 :
洪威威尚玉平梅劲董彬忠
申请人 :
华灿光电(浙江)有限公司
申请人地址 :
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 :
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
吕耀萍
优先权 :
CN202011443563.X
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00  
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法律状态
2022-04-15 :
授权
2021-05-07 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20201208
2021-04-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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