发光二极管外延片的制备方法
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摘要
本发明公开了发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管制作领域。在生长p型GaN层时，可以先在多量子阱层上生长第一p型GaN子层，并在生长完第一p型GaN子层之后，使用离子束均匀地轰击第一p型GaN子层的表面一定时长。离子束会在第一p型GaN子层的表面均匀地制造出较多原子级缺陷。继续在第一p型GaN子层上生长第二p型GaN子层时，第二p型GaN子层与第一p型GaN子层的界面处会出现大量应力及缺陷交错湮灭的情况，第二p型GaN子层的远离衬底的一面原子级缺陷较少，第二p型GaN子层的远离衬底的一面也会较为平整，光线受不同缺陷影响而具有不同出光角度的情况较少，有利于提高发光二极管的出光一致性。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管外延片的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113284992A
申请号 ：
CN202110324236.0
公开（公告）日 ：
2021-08-20
申请日 ：
2021-03-26
授权号 ：
CN113284992B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
王群郭志琰
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202110324236.0
主分类号 ：
H01L33/02
IPC分类号 ：
H01L33/02 H01L33/06 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-09-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/02
申请日 : 20210326
申请日 : 20210326
2021-08-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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