本发明提供一种发光二极管外延结构及其制备方法，所述制备方法包括，提供一衬底，于所述衬底上形成第一半导体层，于所述第一半导体层上形成发光层，于所述发光层上形成第二半导体层，其中，其中，所述发光层包括多个量子阱单元组，所述多个量子阱单元组是堆栈设置，每一所述量子阱单元组包括至少一层势阱层以及至少一层势垒层，其中所述多个量子阱单元组的势垒层的掺杂组成是相互不同。利用本发明，可有效提升器件的光电性能，实现辐射复合效率。