发光二极管外延片及其制备方法
授权
摘要
本公开提供了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在衬底与n型层之间增加了碲化钒层。由于碲化钒层内的原子之间通过共价键结合，碲化钒层的原子层状结构由Te‑V‑V‑Te沿着c轴方向排列组合而成，碲化钒层的原子层状结构之间主要通过范德瓦尔斯力结合。碲化钒层的这种特殊的原子层状结构使得碲化钒层与n型层之间也只是存在分子间范德华力。碲化钒层与n型层之间的结合不会非常紧密，可以便于n型层从碲化钒层的表面上剥离并进行转移，可以提高n型层从衬底上完整剥离的概率并降低n型层从衬底剥离的困难程度。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管外延片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112687774A
申请号 ：
CN202011461498.3
公开（公告）日 ：
2021-04-20
申请日 ：
2020-12-11
授权号 ：
CN112687774B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
丁涛龚程成尹涌梅劲
申请人 ：
华灿光电（浙江）有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202011461498.3
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/00
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-05-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/12
申请日 : 20201211
申请日 : 20201211
2021-04-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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