发光二极管外延片及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，所述发光二极管外延片包括：衬底，以及在衬底上依次层叠的缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱层和P型层；多量子阱层包括x个周期性交替排布的混合极性量子阱层和量子垒层；混合极性量子阱层包括y个周期性交替排布的N极性面量子阱层和Ga极性面量子阱层。本发明解决了现有量子阱中因极化电场而导致的能带弯曲和倾斜所带来的降低了LED外延片的发光效率的问题。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管外延片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420807A
申请号 ：
CN202210336307.3
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-04-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
侯合林谢志文张铭信陈铭胜
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘红伟
优先权 ：
CN202210336307.3
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/18 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20220401
申请日 : 20220401
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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