发光二极管外延片制备方法
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摘要
本公开提供了发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管制作领域。在氧气氛围下进行第一次退火，Mg‑H络合物可以与氧气发生反应使Mg‑H键断裂，Mg‑H络合物中的H则可以与氧气反应生成H2O排出，也可以减少残留在p型层内除氮化物本身材料及Mg原子之外的其他杂质元素。升温后在氮气环境下进行第二次退火，减小p型层内Mg‑H络合物的同时进一步提高p型层的晶体质量，Mg原子在p型层内可以自由活动并主要作为受主杂质，有效增加p型层内的空穴浓度，也可以促使p型层内空穴快速流动，最终进入发光层的空穴数量增多，发光二极管外延片内的非辐射数量也会减少部分，最终得到的发光二极管的发光效率也得到提高。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管外延片制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112331745A
申请号 ：
CN202011161745.8
公开（公告）日 ：
2021-02-05
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
CN112331745B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
刘旺平梅劲刘春杨张武斌葛永晖
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202011161745.8
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/32
相关图片
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-02-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20201027
申请日 : 20201027
2021-02-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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