发光二极管外延片制备方法
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摘要
本公开提供了一种发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管技术领域。衬底上生长非掺杂GaN层之后，生长n型GaN层之前，以及生长完n型GaN层之后，生长多量子阱层之前，在反应腔的温度为600～800℃的条件下，向反应腔分别通入时长为第一设定时长及时长为第二设定时长的氨气，以较低的温度缓解高温积累的应力，提高晶体质量。氨气与残留的一些有机金属源进行反应，减少反应腔内残留的有机金属源。保证最终得到的n型GaN层、非掺杂GaN层、多量子阱层之间界面清晰。作为基础层的非掺杂GaN层及n型GaN层及多量子阱层的质量均得到有效提高，发光二极管外延片整体的质量得到有效提高。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管外延片制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113193087A
申请号 ：
CN202110258024.7
公开（公告）日 ：
2021-07-30
申请日 ：
2021-03-09
授权号 ：
CN113193087B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
姚振从颖董彬忠李鹏
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202110258024.7
主分类号 ：
H01L33/32
IPC分类号 ：
H01L33/32 H01L33/06 H01L33/00
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-08-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/32
申请日 : 20210309
申请日 : 20210309
2021-07-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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