发光二极管外延片及其制备方法

授权

摘要

本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在n型GaN层中，间隔插入了多个插入层。多个插入层中的多个第一GaN子层则可以分多次消耗电子，并抵消电子产生速率相对空穴产生速率产生过快的影响。增加进入多量子阱层中空穴的数量。层叠再第一GaN子层上的本征材料制备的第二GaN子层，进一步起到阻挡电子的作用，增加给空穴留出的时间，同时起到提高n型GaN层的质量。最终得到的发光二极管外延片的进入多量子阱层中的空穴数量增加，因此发光二极管外延片的发光效率得到提高，同时发光二极管外延片的质量得到提高，可以进一步提高最终得到的发光二极管的发光效率。

基本信息

专利标题：

发光二极管外延片及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112802933A

申请号：

CN202110166507.4

公开（公告）日：

2021-05-14

申请日：

2021-02-04

授权号：

CN112802933B

授权日：

2022-05-13

发明人：

从颖姚振梅劲

申请人：

华灿光电（苏州）有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司

代理人：

吕耀萍

优先权：

CN202110166507.4

主分类号：

H01L33/06

IPC分类号：

H01L33/06 H01L33/32 H01L33/00