发光二极管外延片及其制备方法
公开
摘要
本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，该发光二极管外延片，包括衬底，在衬底上依次沉积的AlN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层，其中非掺杂GaN层包括依次层叠设置的准二维结构层、三维成核层、三维‑二维转变层和二维填平层，准二维结构层为AlGaN/GaN层，三维成核层、三维‑二维转变层和所述二维填平层均为GaN层，准二维结构层在包含有N2和NH3的混合气氛中生长得到、三维成核层和二维填平层均在N2、H2和NH3生长气氛中生长得到。本发明可以有效地降低GaN外延层缺陷密度，提高GaN外延层晶体质量，提升LED的光电性能。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管外延片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628555A
申请号 ：
CN202210526257.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-05-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程龙郑文杰高虹曾家明胡加辉
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何世磊
优先权 ：
CN202210526257.5
主分类号 ：
H01L33/02
IPC分类号 ：
H01L33/02 H01L33/00
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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