本发明公开一种发光二极管外延片制备方法及外延片，在氩气作为载气的条件下生长第一子层，由于氩气具有较大的原子质量，能够提供更高的动量，提高Al原子的横向迁移效率，促进第一子层横向生长，能够降低第一子层以及后续生长的第二子层的表面粗糙度和缺陷密度，提高晶体质量；但是由于第一子层的生长速率较快，容易产生刃位错，通过设置氢气作为载气生长第二子层，由于氢气的分子质量较低，在生长时分子运动活性强，对结晶质量较差的晶体具有刻蚀和重结晶的作用，有助于减小刃位错，进一步提高晶体质量。