发光二极管外延片及其制备方法
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摘要
本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层之后分别插入第一插入层、第二插入层与第三插入层，第一插入层、第二插入层与第三插入层为AlN‑Si‑AlN复合结构。第一插入层、第二插入层与第三插入层带来的张应力可以抵消GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层生长时带来的压应力，得到的发光二极管外延片的表面较为平整且质量较好。且第一插入层、第二插入层与第三插入层的层叠结构也可以释放一定的应力，得到的发光二极管外延片的质量及发光效率也得到提高。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管外延片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113113518A
申请号 ：
CN202110208522.0
公开（公告）日 ：
2021-07-13
申请日 ：
2021-02-24
授权号 ：
CN113113518B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
姚振从颖董彬忠李鹏
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202110208522.0
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/06 H01L33/00
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-07-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/12
申请日 : 20210224
申请日 : 20210224
2021-07-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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