发光二极管外延片及其制备方法
公开
摘要
一种发光二极管外延片及其制备方法，该发光二极管外延片包括：衬底、以及在所述衬底上依次生长的低温缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和p型掺杂GaN层，所述多量子阱层包括预设周期个依次层叠的插入层、量子阱层以及量子垒层，其中，所述插入层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为掺杂Mg的GaN层，所述第二子层为未掺杂的GaN层，所述第三子层为InGaN层。本发明可以使量子阱内In分布更均匀，减少In的偏析，提升外延片内波长均匀性，且可以减少电子溢流，增加量子阱中载流子的复合几率。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管外延片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597293A
申请号 ：
CN202210483535.3
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-05-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张彩霞程金连印从飞胡加辉金从龙
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何世磊
优先权 ：
CN202210483535.3
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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