发光二极管外延片及其制备方法
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摘要

本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法,属于发光二极管制作领域。外延层的第一表面上分布的键合金属键合在发光设备的基板,第二表面为出光面。在外延层的第二表面上开有网状隔离沟槽,每个键合金属在第二表面的投影均对应位于一个网状隔离沟槽的网目内。在第二表面位于网状隔离沟槽之间的部分出光。采用不透光材料制备的第一隔离层位于网状隔离沟槽内且填满网状隔离沟槽,保证被网状隔离沟槽及第一隔离层隔开的第二表面的两个部分在出光时,出现光线干涉或者混光的情况较少。应用至发光设备时,第一隔离层同样可以起到避免光线干涉或混光的情况,起到提高发光二极管外延片所应用的发光设备的分辨率的作用。

基本信息
专利标题 :
发光二极管外延片及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112786762A
申请号 :
CN202110002976.2
公开(公告)日 :
2021-05-11
申请日 :
2021-01-04
授权号 :
CN112786762B
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
张威赵世彬吴志浩李鹏
申请人 :
华灿光电(浙江)有限公司
申请人地址 :
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 :
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
吕耀萍
优先权 :
CN202110002976.2
主分类号 :
H01L33/48
IPC分类号 :
H01L33/48  H01L33/58  H01L33/62  H01L33/00  
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法律状态
2022-05-17 :
授权
2021-05-28 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/48
申请日 : 20210104
2021-05-11 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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