发光二极管外延片及其制备方法
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摘要
本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在n型GaN层与多量子阱层之间增加了SiO2调节层，SiO2调节层包括在n型GaN层的表面间隔分布的多个SiO2调节柱，将位于n型GaN层的表面的圆心的SiO2调节柱的高度，均设置为低于位于n型GaN层的表面的边缘的SiO2调节柱的高度，可以促使多量子阱在生长时，多量子阱层在生长时在n型GaN层的表面的圆心附近区域与n型GaN层的表面的边缘附近区域形成生长时间差，由此抵消温度差带来的边缘附近区域与圆心附近区域会形成的厚度差，使得多量子阱层整体生长的厚度更为均匀，进而提高发光二极管的发光均匀度。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管外延片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112687776A
申请号 ：
CN202011500153.4
公开（公告）日 ：
2021-04-20
申请日 ：
2020-12-18
授权号 ：
CN112687776B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
王群郭炳磊曹阳葛永晖董彬忠李鹏
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202011500153.4
主分类号 ：
H01L33/20
IPC分类号 ：
H01L33/20 H01L33/06 H01L33/00
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法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-05-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/20
申请日 : 20201218
申请日 : 20201218
2021-04-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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