红外发光二极管外延结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种红外发光二极管外延结构及其制备方法，其中所述红外发光二极管外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层、应力释放层以及第二型半导体层，所述应力释放层为组分渐变的结构层。本发明通过在有源层与第二型半导体层之间插入组分渐变的应力释放层，能够增加发光二极管的发光效率，并且能够有效降低电压。
基本信息
专利标题 ：
红外发光二极管外延结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551670A
申请号 ：
CN202210157090.X
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
廖寅生李森林毕京锋
申请人 ：
厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市海沧区兰英路99号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑玮
优先权 ：
CN202210157090.X
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/30 H01L33/00
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/12
申请日 : 20220221
申请日 : 20220221
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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