红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法，该外延结构包括：衬底及在所述衬底上依次向上生长的布拉格反射镜、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型覆盖层及电流扩展层；其中，所述布拉格反射镜为周期性结构，对所述布拉格反射镜进行Si掺杂且所述布拉格反射镜中的Si掺杂浓度随所述布拉格反射镜结构的生长周期递增而渐进式递增，以使所述布拉格反射镜包含了N型覆盖层的功能。本发明能够简化外延结构及外延加工工艺，使生产成本更加低廉，且使布拉格反射镜综合了布拉格反射镜结构的反射作用及N‑Cladding结构的复合发光提供电子的作用，能够提高二极管的发光亮度。
基本信息
专利标题 ：
红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530530A
申请号 ：
CN202210158017.4
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
贾钊窦志珍杨琪马婷胡加辉金从龙顾伟
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
彭琰
优先权 ：
CN202210158017.4
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/00 H01L33/10
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20220221
申请日 : 20220221
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
