一种HEMT外延结构的制备方法及外延结构
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摘要
本发明涉及一种HEMT外延结构的制备方法，包括：在衬底上生长外延层，在生长所述的外延层前，先对所述的衬底进行预处理，所述的预处理包括：将所述的衬底置于生长腔内，将所述的生长腔内的温度升高至500℃‑700℃，向所述的生长腔内通入CBr430~400秒后停止，将所述的生长腔内的温度继续升高至900℃以上，保持30~400秒，完成所述的预处理。一种HEMT外延结构，其由所述的制备方法制得。本发明通过引入Br预处理衬底表面，来去除各类衬底表面氧含量，该预处理可以在主流的衬底上实现通用，能够有效减少HEMT外延结构的漏电，抑制电流崩塌，以及提升反向击穿电压等性能。
基本信息
专利标题 ：
一种HEMT外延结构的制备方法及外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110246754A
申请号 ：
CN201910534616.X
公开（公告）日 ：
2019-09-17
申请日 ：
2019-06-20
授权号 ：
CN110246754B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
李仕强王东盛李亦衡张葶葶朱廷刚
申请人 ：
江苏能华微电子科技发展有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号B12幢（能华微电子）
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
王桦
优先权 ：
CN201910534616.X
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 C30B25/18 C30B29/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2019-10-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20190620
申请日 : 20190620
2019-09-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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