一种LED外延结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种LED外延结构及其制备方法。LED外延结构包括：3D层、UGaN层、多量子阱层MQW和电子阻挡层EBL，所述多量子阱层MQW包括界面过渡层；其中，在所述3D层和所述UGaN层之间设置有第一BN结构层，在所述界面过渡层中设置有第一BGaN结构层，在所述电子阻挡层EBL中设置有第二BN结构层或者第二BGaN结构层。本申请通过在LED外延结构中插入BN结构层和BGaN结构层，利用其原子间作用力小、禁带宽度大的特点，可以有效的降低位错密度、释放应力，提升晶格质量；提高电子阻挡率和电子利用率，从而提升LED的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种LED外延结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551663A
申请号 ：
CN202210166545.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐洋洋江汉徐志军黎国昌程虎王文君苑树伟
申请人 ：
聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请人地址 ：
江苏省宿迁市宿迁经济技术开发区东吴路南侧
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 ：
逯长明
优先权 ：
CN202210166545.4
主分类号 ：
H01L33/02
IPC分类号 ：
H01L33/02 H01L33/06 H01L33/14 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/02
申请日 : 20220223
申请日 : 20220223
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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