LED外延结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，其中所述LED外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的底部缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，其中，所述第一型半导体层从下至上依次包括第一型窗口层、中间层、第一型限制层以及第一型波导层，所述中间层为超晶格结构，且所述中间层包括n组组合层，每一组所述组合层包括依次层叠的高掺杂层、渐变掺杂层以及低掺杂层。本发明通过在第一型窗口层和第一型限制层之间插入超晶格结构的中间层，能够提高晶体质量，提高LED的发光效率和亮度，同时还能降低LED的工作电压。
基本信息
专利标题 ：
LED外延结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447165A
申请号 ：
CN202210101403.X
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
薛龙李森林毕京锋谢岚驰
申请人 ：
厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市海沧区兰英路99号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
尤彩红
优先权 ：
CN202210101403.X
主分类号 ：
H01L33/04
IPC分类号 ：
H01L33/04 H01L33/12 H01L33/14 H01L33/06 H01L33/30 H01L33/00
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/04
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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