一种紫外LED外延结构及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种紫外LED外延结构，包括衬底、及从下至上依次位于衬底上的低温AlN层、高温AlN层、本征AlGaN层、掺杂硅烷的n型AlGaN层、掺杂硅烷的n掺杂AlGaN/AlN超晶格层、量子阱区‑1、超晶格SL区‑1、量子阱区‑2、超晶格SL区‑2、量子阱区‑3、超晶格SL区‑3、量子阱区‑n、超晶格SL区‑n、p型AlGaN层和掺杂镁的p++型BAlGaN层，通过本发明的设计和生长方法，能够满足现实应用中对于各种紫外波段需求的集成统一，很大程度简化了后续封装步骤，并且提高了芯片的整体可靠性，实现了一芯多用的功能。
基本信息
专利标题 ：
一种紫外LED外延结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113140657A
申请号 ：
CN202110523507.5
公开（公告）日 ：
2021-07-20
申请日 ：
2021-05-13
授权号 ：
CN113140657B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
王晓波
申请人 ：
西安瑞芯光通信息科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区科技三路融城云谷B座12楼1206E
代理机构 ：
北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
崔自京
优先权 ：
CN202110523507.5
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/08 H01L33/00
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法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-08-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20210513
申请日 : 20210513
2021-07-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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