一种倒装LED外延结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种倒装LED外延结构及其制备方法，包括从下至上依次设置的衬底、微尺寸SiO2薄膜以及n型氮化物层，还包括设于微尺寸SiO2薄膜与n型氮化物层之间的第一填平层和第二填平层，第一填平层覆盖在微尺寸SiO2薄膜上，第二填平层覆盖第一填平层、且设于第一填平层与n型氮化物层之间。本发明中的倒装LED外延结构及其制备方法，通过在微尺寸SiO2上生长第一填平层，以覆盖衬底上的SiO2薄膜，减少GaN与蓝宝石之间的晶格失配和热适配，并在第一填平层上生长第二填平层，以填平微尺寸SiO2薄膜，形成平坦的表面，使得后续外延层生长同样平坦，提高了晶体质量。
基本信息
专利标题 ：
一种倒装LED外延结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284415A
申请号 ：
CN202210217913.3
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2022-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曾家明程龙郑文杰胡加辉刘春杨
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
彭琰
优先权 ：
CN202210217913.3
主分类号 ：
H01L33/44
IPC分类号 ：
H01L33/44 H01L33/02 H01L33/00
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/44
申请日 : 20220308
申请日 : 20220308
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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