氮化物外延层结构、氮化物外延片及制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种氮化物外延层的制备方法，包括以下步骤：S1、提供一具有氮化物缓冲层的衬底；S2、通入不含氧前驱体源，在所述氮化物缓冲层上生长第一非掺杂氮化物层；S3关闭不含氧前驱体源，通入含氧前驱体源，在所述第一非掺杂氮化物层上生长含氧氮化物层；S4、关闭氮源，通入含氧前驱体源，进行热退火处理；S5、关闭含氧前驱体源，通入还原性气体对所述含氧氮化物层进行刻蚀处理以形成坑洞结构；S6、通入不含氧前驱体源，在刻蚀处理后的含氧氮化物层上生长第二非掺杂氮化物层，得到具有坑洞结构的氮化物外延层。本发明通过坑洞结构促进氮化物外延层横向生长，改善位错密度走向，降低氮化物外延层位错密度，提高晶体质量。
基本信息
专利标题 ：
氮化物外延层结构、氮化物外延片及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574960A
申请号 ：
CN202210169567.6
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
闫其昂王国斌
申请人 ：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城23幢205室
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
唐灵
优先权 ：
CN202210169567.6
主分类号 ：
C30B25/18
IPC分类号 ：
C30B25/18 C30B29/40 H01L33/00 H01L33/06 H01L33/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/18
以衬底为特征的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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