一种P型氮化物外延结构、制备方法及半导体器件
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种P型氮化物外延结构、制备方法及半导体器件，包括：衬底；以及依次生长于所述衬底上的U型氮化物层、P型氮化物前置层和P型氮化物复合层；其中，所述P型氮化物前置层为轻掺杂Mg的氮化物层；所述P型氮化物复合层包括呈周期性结构的非掺氮化物层、共掺低受主层和镁掺杂并入层，单个周期中的非掺氮化物层、共掺低受主层和镁掺杂并入层依次生长；所述镁掺杂并入层为重掺杂Mg的氮化物层；所述共掺低受主层为掺Si的氮化铟层。本发明能够抑制掺杂剂的自补偿效应及提高其激活率，从而提高P型氮化物材料的载流子浓度。
基本信息
专利标题 ：
一种P型氮化物外延结构、制备方法及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512395A
申请号 ：
CN202210413931.9
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-04-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王国斌周溯沅
申请人 ：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
朱振德
优先权 ：
CN202210413931.9
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20220420
申请日 : 20220420
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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