一种双抛薄衬底氮化物外延层的制备方法及其外延层
授权
摘要
本发明公开了一种双抛薄衬底氮化物外延层的制备方法，包括：提供一双抛薄衬底，对所述双抛薄衬底的第一面进行第一退火处理；在所述第一面上制作抗翘曲结构，该抗翘曲结构包括依次形成在所述第一面上的低温AlInN氮化物背部缓冲层、AlInN背部外延层、GaN背部外延层、AlGaN背部外延层；对所述双抛薄衬底的第二面进行第二退火处理；在所述第二面上依次低温氮化物缓冲层和氮化物层；利用湿法腐蚀所述低温AlInN氮化物背部缓冲层，使所述双抛薄衬底与所述抗翘曲结构分离，得到双抛薄衬底氮化物外延层。本发明利用双抛薄衬底背部生长抗翘曲结构，产生与正面生长外延层相反的应力提高外延层的质量，避免正面生长多成缓冲层，生成高质量氮化物外延层。
基本信息
专利标题 ：
一种双抛薄衬底氮化物外延层的制备方法及其外延层
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267757A
申请号 ：
CN202210195217.7
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
CN114267757B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
闫其昂王国斌
申请人 ：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
冯瑞
优先权 ：
CN202210195217.7
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/12 C23C16/01 C23C16/30
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20220302
申请日 : 20220302
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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