Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底
专利权的终止
摘要
提供一种III族氮化物半导体器件，该半导体器件具有可以提高击穿电压的结构。肖特基二极管(11)由III族氮化物支撑衬底(13)、氮化镓区(15)以及肖特基电极(17)构成。III族氮化物支撑衬底(13)具有导电性。肖特基电极(17)在氮化镓区(15)上形成肖特基结。氮化镓区(15)被制造在III族氮化物支撑衬底(13)的主面(13a)上。氮化镓区(15)具有100秒以下的(1012)－面XRD半峰全宽。
基本信息
专利标题 ：
Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1993834A
申请号 ：
CN200680000560.0
公开（公告）日 ：
2007-07-04
申请日 ：
2006-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
三浦广平木山诚樱田隆
申请人 ：
住友电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林宇清
优先权 ：
CN200680000560.0
主分类号 ：
H01L29/47
IPC分类号 ：
H01L29/47 H01L29/872
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法律状态
2019-01-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/47
申请日 : 20060120
授权公告日 : 20130522
终止日期 : 20180120
申请日 : 20060120
授权公告日 : 20130522
终止日期 : 20180120
2013-05-22 ：
授权
2007-08-29 ：
实质审查的生效
2007-07-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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