氮化物半导体发光器件
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种具有矩形俯视外形的氮化物半导体发光器件,其中n电极和p电极结果被适当地形成,以改善电流的传播并增强亮度。该发光器件包括:n型氮化物半导体层,形成于衬底上;以及n电极,包括n侧焊盘和从n侧焊盘延伸出的指型n电极。该器件还包括:台面结构,包括按顺序沉积的有源层和p型氮化物半导体层;欧姆接触层,形成于台面结构的基本全部上表面上;以及p电极,包括p侧焊盘以及从p侧焊盘延伸出的指型p电极。
基本信息
专利标题 :
氮化物半导体发光器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1841797A
申请号 :
CN200610001476.2
公开(公告)日 :
2006-10-04
申请日 :
2006-01-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
金显炅申贤秀李赫民片仁俊金昌完
申请人 :
三星电机株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
李伟
优先权 :
CN200610001476.2
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00
法律状态
2022-01-07 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20060117
授权公告日 : 20080917
终止日期 : 20210117
申请日 : 20060117
授权公告日 : 20080917
终止日期 : 20210117
2013-01-09 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101493396091
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100014762
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星LED株式会社
变更后权利人 : 三星电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道水原市
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121211
号牌文件序号 : 101493396091
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100014762
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星LED株式会社
变更后权利人 : 三星电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道水原市
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121211
2010-11-03 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101037788177
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100014762
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电机株式会社
变更后权利人 : 三星LED株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道水原市
登记生效日 : 20100920
号牌文件序号 : 101037788177
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100014762
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电机株式会社
变更后权利人 : 三星LED株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道水原市
登记生效日 : 20100920
2008-09-17 :
授权
2006-12-06 :
实质审查的生效
2006-10-04 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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