氮化物半导体发光器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，该氮化物半导体发光器件包括：第一氮化物半导体层；激发层，形成在第一氮化物半导体层上并包括在高温氢气氛下生长的至少一个阻挡层；和形成在激发层上的第二氮化物半导体层。根据该氮化物半导体发光器件及其制造方法，发光器件的光功率得到提高并且运行可靠性得到增强。
基本信息
专利标题 ：
氮化物半导体发光器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1934719A
申请号 ：
CN200580008612.4
公开（公告）日 ：
2007-03-21
申请日 ：
2005-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁承铉
申请人 ：
LG伊诺特有限公司
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾晋伟
优先权 ：
CN200580008612.4
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01S5/30
法律状态
2020-10-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20051104
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20191104
申请日 : 20051104
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20191104
2009-01-14 ：
授权
2007-05-16 ：
实质审查的生效
2007-03-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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