半导体发光器件、其制造方法和光模块
专利权的终止
摘要
提供了一种能够实现长寿命的半导体发光器件，一种制造该半导体发光器件的方法和一种使用该半导体发光器件的光模块。所述半导体发光器件具有有源层，其中层叠由Ga1－xInxNyAs1－y－zSbz混晶(0≤x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1，且0＜y+z＜1)制成的阱层和由GaNvAs1－v混晶(0≤v＜1)制成的势垒层。所述有源层中的氢的杂质浓度为3×1019cm－3或更小，且所述有源层中的铝的杂质浓度为1×1018cm－3或更小。因此，抑制了工作电流增大且能够实现长寿命。可以通过在生长有源层时减小被用作氮的原材料的有机氮化合物的流量来减小氢浓度。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光器件、其制造方法和光模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822406A
申请号 ：
CN200610008643.6
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-02-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
里泰雄御友重吾横关弥树博日野智公成井启修
申请人 ：
索尼株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610008643.6
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01S5/343
法律状态
2015-04-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101604515387
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100086436
申请日 : 20060220
授权公告日 : 20081126
终止日期 : 20140220
号牌文件序号 : 101604515387
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100086436
申请日 : 20060220
授权公告日 : 20081126
终止日期 : 20140220
2008-11-26 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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