发光半导体器件及其制造方法
专利申请的驳回
摘要
一种包含具有第一导电型半导体基片的半导体本体的发光半导体二极管，所述基片上至少存在第一导电型过渡层、第一导电型第一涂层、活性层及第二导电型第二涂层。其中过渡层含有砷化铝镓，铝含量至少为属于活性层带隙的最小值。因此活性层在例如650nm波长发射而半导体层仍具有良好晶体质量和表面几何形状。当活性层为具有比较厚势阱层的多量子势阱结构时它甚至在633nm发射。在本发明方法中，利用比较高的生长温度和具有适当铝含量的过渡层。
基本信息
专利标题 ：
发光半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1056771A
申请号 ：
CN91103462.5
公开（公告）日 ：
1991-12-04
申请日 ：
1991-05-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阿德里安·瓦尔斯特库恩·T·H·F·利登包姆
申请人 ：
菲利浦光灯制造公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
吕晓章
优先权 ：
CN91103462.5
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01S3/19
法律状态
1999-11-17 ：
专利申请的驳回
1997-12-17 ：
著录项目变更
变更事项 : 申请人
变更前 : 菲利浦光灯制造公司
变更后 : 菲利浦电子有限公司
变更前 : 菲利浦光灯制造公司
变更后 : 菲利浦电子有限公司
1993-08-18 ：
实质审查请求的生效
1991-12-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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