发光半导体器件及其制造这种半导体器件的方法
专利申请的驳回
摘要
一种包含具有半导体基片的半导体本体的发光半导体二极管，所述基片上存在下部涂层、活性层及上部涂层，每层各含有形成混合晶体的不同半导体材料。活性层的混合晶体比两涂层的更为严格地有序。这使这些层之间带隙差异大于已知二极管。因此本发明二极管具有比较高T0值和高的最大工作温度。一种制造这种二极管的方法，通过在半导体层形成期间改变生长温度或所提供元素的数量比率获得活性层与涂层之间的有序程度差异。由此获得具有要求特征的二极管。
基本信息
专利标题 ：
发光半导体器件及其制造这种半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1056956A
申请号 ：
CN91103446.3
公开（公告）日 ：
1991-12-11
申请日 ：
1991-05-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阿德里安·瓦尔斯特库恩·T·H·F·利登包姆
申请人 ：
菲利浦光灯制造公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
吕晓章
优先权 ：
CN91103446.3
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01S3/19
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法律状态
1999-11-17 ：
专利申请的驳回
1993-08-18 ：
实质审查请求的生效
1991-12-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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