半导体发光器件及其制造方法

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摘要

半导体发光器件及其制造方法。公开了一种半导体发光器件，其包括：半导体发光器件芯片，该半导体发光器件芯片包括多个半导体层以及电连接到所述多个半导体层的电极，所述多个半导体层包括适于通过电子和空穴的复合产生紫外光的有源层；封装构件，该封装构件适于包围所述半导体发光器件芯片；以及外部基板，该外部基板包括底座以及电连接到所述半导体发光器件芯片的电极的导电层。所述导电层被布置在所述封装构件的内部并且适于反射所述紫外光，且所述导电层的一个表面由UV反射率小于90％的物质制成。外部基板的与封装构件的下表面接触的平坦区域部分比外部基板的与封装构件的下表面没有接触的平坦区域部分小。

基本信息

专利标题：

半导体发光器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110197864A

申请号：

CN201910140687.1

公开（公告）日：

2019-09-03

申请日：

2019-02-26

授权号：

CN110197864B

授权日：

2022-06-14

发明人：

金炅珉金奉焕韩定佑

申请人：

世迈克琉明有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

刘久亮

优先权：

CN201910140687.1

主分类号：

H01L33/48

IPC分类号：

H01L33/48 H01L33/60 H01L33/62