氮化物半导体发光器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
提供一种氮化物半导体发光器件，包括：第一氮化物半导体层；形成在所述第一氮化物半导体层上方的有源层；和形成在所述有源层上方的δ掺杂第二氮化物半导体层。根据本发明，提高了氮化物半导体发光器件的光功率，改善了光功率下降现象并提高了抗ESD(静电放电)的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
氮化物半导体发光器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101577305A
申请号 ：
CN200910143038.3
公开（公告）日 ：
2009-11-11
申请日 ：
2005-12-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李昔宪
申请人 ：
LG伊诺特有限公司
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡胜有
优先权 ：
CN200910143038.3
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2020-11-13 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20051205
授权公告日 : 20120201
终止日期 : 20191205
申请日 : 20051205
授权公告日 : 20120201
终止日期 : 20191205
2012-02-01 ：
授权
2010-01-06 ：
实质审查的生效
2009-11-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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