氮化物半导体发光器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
提供的氮化物半导体发光器件包括：第一氮化物半导体层，和在第一氮化物半导体层上形成的激活层，和在激活层上形成的掺杂“C”的第二氮化物半导体层。按照本发明，激活层的结晶度得到提高，并且光学功率和操作可靠性得到增强。
基本信息
专利标题 ：
氮化物半导体发光器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101073160A
申请号 ：
CN200580041801.1
公开（公告）日 ：
2007-11-14
申请日 ：
2005-12-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李昔宪
申请人 ：
LG伊诺特有限公司
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡胜有
优先权 ：
CN200580041801.1
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2020-11-13 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20051205
授权公告日 : 20100616
终止日期 : 20191205
申请日 : 20051205
授权公告日 : 20100616
终止日期 : 20191205
2010-06-16 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2007-11-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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