半导体发光器件的制造方法
专利权的终止
摘要

本发明的目的是,利用简单的结构提供一种半导体发光器件的制造方法,使来自发光元件芯片的射出光和波长变换剂的激励光的混色光不产生颜色不均,并且使作为波长变换剂进行波长变换后的损失能量而放出的热量能够有效散发。在基板上表面的光反射腔的底面设置发光元件芯片,在上述光反射腔内形成含有粒状波长变换剂(15a)的波长变换层(15),按如下步骤来构成半导体发光器件的制造方法:填充上述波长变换层的工序首先在上述光反射腔内填充不含有波长变换剂的第一透光性树脂(17),直到略微露出发光元件芯片的上表面,使得从发光元件芯片的上表面朝向周围倾斜成擂钵状,然后,在上述光反射腔内,在上述第一透光性树脂上填充含有波长变换剂的第二透光性树脂(18),然后,使上述第一透光性树脂和第二透光性树脂固化。

基本信息
专利标题 :
半导体发光器件的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1770488A
申请号 :
CN200510105871.0
公开(公告)日 :
2006-05-10
申请日 :
2005-09-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
原田光范
申请人 :
斯坦雷电气株式会社
申请人地址 :
日本东京
代理机构 :
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 :
黄纶伟
优先权 :
CN200510105871.0
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00  
相关图片
法律状态
2020-09-18 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20081224
终止日期 : 20190929
2008-12-24 :
授权
2007-09-19 :
实质审查的生效
2006-05-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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