氮化物半导体发光器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种氮化物半导体发光器件，包括：具有通过蚀刻形成在其表面上的预定图案的衬底；位于所述衬底的未蚀刻区域上并且具有在其上堆叠的第一缓冲层和第一氮化物半导体层的突出部；形成在所述衬底的蚀刻区域上的第二缓冲层；形成在所述第二缓冲层和所述突出部上的第二氮化物半导体层；形成在所述第二氮化物半导体层上的第三氮化物半导体层；形成在所述第三氮化物半导体层上用于发光的有源层；和形成在所述有源层上的第四氮化物半导体层。根据本发明，可以提高氮化物半导体发光器件的光提取效率。
基本信息
专利标题 ：
氮化物半导体发光器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101069290A
申请号 ：
CN200580040990.0
公开（公告）日 ：
2007-11-07
申请日 ：
2005-12-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李昔宪
申请人 ：
LG伊诺特有限公司
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾晋伟
优先权 ：
CN200580040990.0
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2020-11-13 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20051205
授权公告日 : 20090805
终止日期 : 20191205
申请日 : 20051205
授权公告日 : 20090805
终止日期 : 20191205
2009-08-05 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2007-11-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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