氮化物半导体发光器件及其制造方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明披露了一种氮化物半导体发光器件，包括：一个或多个AlInN层；形成在该AlInN层上方的In掺杂的氮化物半导体层；形成在该In掺杂的氮化物半导体层上方的第一电极接触层；形成在该第一电极接触层上方的有源层；以及形成在该有源层上方的p型氮化物半导体层。根据所述氮化物半导体发光器件，有源层的晶体缺陷被抑制，使得氮化物半导体发光器件的可靠性增加，并使得光输出增大。

基本信息

专利标题：

氮化物半导体发光器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101552315A

申请号：

CN200910132659.1

公开（公告）日：

2009-10-07

申请日：

2005-10-06

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

孙孝根李昔宪

申请人：

LG伊诺特有限公司

申请人地址：

韩国首尔

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

蔡胜有

优先权：

CN200910132659.1

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00

法律状态

2021-09-03 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 33/00
登记生效日 : 20210824
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : LG伊诺特有限公司
变更后权利人 : 苏州乐琻半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国首尔
变更后权利人 : 江苏省苏州太仓市常胜北路168号

2011-07-13 ：

授权

2009-12-02 ：

实质审查的生效

2009-10-07 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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