半导体发光元件及其制造方法和安装方法、发光器件
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明的LED芯片(1)具有如下结构：n型半导体层(12)和p型半导体层(13)相继形成在元件衬底(11)的下表面上，p型半导体层(13)形成在除用于n电极的区域(12a)之外的区域上。第一n电极(14)形成在用于n电极的区域(12a)上，第一p电极(15)形成在p型半导体层(13)上。具有开口(16a)和(16b)的第一绝缘层(16)形成在第一n电极(14)和第一p电极(15)上，具有实质上相同尺寸的第二n电极(17)和第二p电极(18)形成在第一绝缘层(16)上。采用这种配置，可以使n型半导体层(12)上的电极大，从而可以通过使用焊料(31)以低成本执行将LED芯片(1)安装到电路板(40)上的安装工艺。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光元件及其制造方法和安装方法、发光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101027795A
申请号 ：
CN200580032696.5
公开（公告）日 ：
2007-08-29
申请日 ：
2005-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
东和司石谷伸治
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
王玮
优先权 ：
CN200580032696.5
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
相关图片
法律状态
2016-08-31 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101738179275
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005800326965
登记生效日 : 20160810
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 亿光电子工业股份有限公司
变更后权利人 : 亿光电子(中国)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾新北市树林区中华路6之8号
变更后权利人 : 215000 江苏省苏州市吴江经济技术开发区中山北路2135号
号牌文件序号 : 101738179275
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005800326965
登记生效日 : 20160810
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 亿光电子工业股份有限公司
变更后权利人 : 亿光电子(中国)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾新北市树林区中华路6之8号
变更后权利人 : 215000 江苏省苏州市吴江经济技术开发区中山北路2135号
2014-10-29 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101706709248
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005800326965
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 松下电器产业株式会社
变更后权利人 : 亿光电子工业股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本大阪府
变更后权利人 : 中国台湾新北市树林区中华路6之8号
登记生效日 : 20141010
号牌文件序号 : 101706709248
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005800326965
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 松下电器产业株式会社
变更后权利人 : 亿光电子工业股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本大阪府
变更后权利人 : 中国台湾新北市树林区中华路6之8号
登记生效日 : 20141010
2009-05-13 ：
授权
2007-10-24 ：
实质审查的生效
2007-08-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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