半导体发光元件及其制造方法
专利权的终止
摘要
提供可提高与p型GaN系化合物半导体接触的电极的各项特性的半导体发光元件及其制造方法。在与同MQW发光层(13)接触的p型GaN系化合物半导体(14)的主面(14a)对置的主面(14b)的表面，形成有由至少包含Ni的p型GaN系化合物半导体构成的第一区域(15)。在第一区域(15)的表面，形成有由Ni及Al所组成的合金来构成的电极(16)。在电极(16)上，形成有由Al或Au构成的外部连接用垫片电极(17)。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1763984A
申请号 ：
CN200510112829.1
公开（公告）日 ：
2006-04-26
申请日 ：
2005-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
多田善纪杢哲次丹羽爱玲神井康宏佐藤纯治加藤隆志
申请人 ：
三垦电气株式会社
申请人地址 ：
日本埼玉县
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐谦
优先权 ：
CN200510112829.1
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2014-12-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101591311202
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005101128291
申请日 : 20051014
授权公告日 : 20081022
终止日期 : 20131014
号牌文件序号 : 101591311202
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005101128291
申请日 : 20051014
授权公告日 : 20081022
终止日期 : 20131014
2008-10-22 ：
授权
2006-06-14 ：
实质审查的生效
2006-04-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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