半导体发光元件及其制造方法
专利权的终止
摘要
在半导体发光元件(1)中，在窗口层(15)的上表面上形成具有圆柱形状且分散成岛状的多个凸台(16)以及凹陷(17)。在凸台(16)的上表面上形成接触电极(21)。在凹陷(17)中形成透明介质膜(22)。在透明介质膜(22)和接触电极(21)上形成透明导体膜(23)。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1755960A
申请号 ：
CN200510109799.9
公开（公告）日 ：
2006-04-05
申请日 ：
2005-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
室伏仁武田四郎
申请人 ：
三垦电气株式会社
申请人地址 ：
日本埼玉
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王英
优先权 ：
CN200510109799.9
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01S5/30
法律状态
2014-11-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101588383200
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005101097999
申请日 : 20050923
授权公告日 : 20081126
终止日期 : 20130923
号牌文件序号 : 101588383200
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005101097999
申请日 : 20050923
授权公告日 : 20081126
终止日期 : 20130923
2008-11-26 ：
授权
2006-05-31 ：
实质审查的生效
2006-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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