半导体层叠基板、其制造方法以及发光元件

专利权的终止

摘要

本发明提供一种半导体层叠基板、其制造方法以及发光元件。是具有半导体层的半导体层叠基板，该半导体层包含除了金属氮化物的无机粒子(二氧化硅、氧化铝、氧化锆、二氧化钛、二氧化铈、氧化镁、氧化锌、氧化锡、钇铝石榴石等)，半导体层叠基板的制造方法包括以下的工序(a)和工序(b)，(a)是在基板上配置除了金属氮化物的无机粒子的工序；(b)是使半导体层生长的工序，发光元件包含所述的半导体层叠基板。

基本信息

专利标题：

半导体层叠基板、其制造方法以及发光元件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101061571A

申请号：

CN200580039647.4

公开（公告）日：

2007-10-24

申请日：

2005-11-22

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

上田和正西川直宏

申请人：

住友化学株式会社

申请人地址：

日本国东京都

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

优先权：

CN200580039647.4

主分类号：

H01L21/205

IPC分类号：

H01L21/205 H01L33/00

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/20

半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长

H01L21/205

应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积

法律状态

2020-11-03 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/205
申请日 : 20051122
授权公告日 : 20100505
终止日期 : 20191122

2010-05-05 ：

授权

2007-12-19 ：

实质审查的生效

2007-10-24 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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