发光元件、发光装置、发光元件的制造方法
实质审查的生效
摘要
发光元件(2)的发光层(8)包括配位于量子点(14、16)的卤素配体和有机配体。所述发光层包括空穴传输层(10)侧的第一区域(14A)和电子传输层(6)侧的第二区域(16A)。在所述第一区域中，所述卤素配体的浓度高于所述有机配体的浓度，在所述第二区域中，所述卤素配体的浓度低于所述有机配体的浓度。
基本信息
专利标题 ：
发光元件、发光装置、发光元件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342560A
申请号 ：
CN201980100045.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2019-09-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
本田大辅上田吉裕
申请人 ：
夏普株式会社
申请人地址 ：
日本国大阪府堺市堺区匠町1番地
代理机构 ：
深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
代理人 ：
郝家欢
优先权 ：
CN201980100045.7
主分类号 ：
H05B33/14
IPC分类号 ：
H05B33/14 H01L51/50 H05B33/10
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H05B 33/14
申请日 : 20190904
申请日 : 20190904
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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