发光元件及其制造方法
授权
摘要
一种发光元件及其制造方法，该制造方法包括提供一第一基板及多个半导体叠层块于该第一基板上，各该多个半导体叠层块包括一第一电性半导体层、一发光层位于该第一电性半导体层之上、以及一第二电性半导体层位于该发光层之上，其中，该多个半导体叠层块包含一第一半导体叠层块及一第一二半导体叠层块；以及实行一第一分离步骤，包括：提供一第二基板，包括一第一电极；实行一第一接合步骤，包括接合该第一半导体叠层块与该第二基板；以及分离该第一半导体叠层块与该第一基板，且该第一基板存留有该第二半导体叠层块。
基本信息
专利标题 ：
发光元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109802014A
申请号 ：
CN201811424436.8
公开（公告）日 ：
2019-05-24
申请日 ：
2013-07-05
授权号 ：
CN109802014B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
黄建富詹耀宁徐子杰陈怡名邱新智吕志强许嘉良张峻贤
申请人 ：
晶元光电股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201811424436.8
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/38
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2019-06-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20130705
申请日 : 20130705
2019-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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