半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法
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摘要
一种半导体发光元件，具备：包含硅(Si)的n型氮化铝镓(AlGaN)类半导体材料的n型包覆层(24)；设置在n型包覆层(24)上，包含Si的中间层(25)；设置在中间层(25)上的AlGaN类半导体材料的活性层(26)；以及设置在活性层(26)上的p型半导体层。层叠n型包覆层(24)、中间层(25)及活性层(26)方向的Si浓度的分布在中间层25的位置至少具有局部性峰值。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110383507A
申请号 ：
CN201880009668.9
公开（公告）日 ：
2019-10-25
申请日 ：
2018-01-11
授权号 ：
CN110383507B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
松仓勇介希利尔·贝诺
申请人 ：
日机装株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
上海旭诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑立
优先权 ：
CN201880009668.9
主分类号 ：
H01L33/32
IPC分类号 ：
H01L33/32 H01L21/205
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法律状态
2022-06-03 ：
授权
2019-11-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/32
申请日 : 20180111
申请日 : 20180111
2019-10-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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