半导体发光元件及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明的半导体发光元件包括具有导电性的支持衬底(1)和具有发光功能的半导体区(3)和光反射层(2)。半导体区(3)包括n型半导体层(6)、活性层(7)、p型半导体层(8)和p型辅助半导体层(9)。光反射层(2)由Ag或Ag合金构成，且配置在半导体区(3)和支持衬底(1)之间。该光反射层(2)通过接合在半导体区(3)的一方主面形成的由Ag或Ag合金构成的第一粘贴层和在支持衬底(1)的一方主面形成的由Ag或Ag合金构成的第二粘贴层来形成。光反射层(2)的侧面(22)和半导体区(3)的侧面(23)的任一方或两方被用以抑制迁移的保护层(6)覆盖。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1770489A
申请号 ：
CN200510108523.9
公开（公告）日 ：
2006-05-10
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
青柳秀和加藤隆志松尾哲二
申请人 ：
三垦电气株式会社
申请人地址 ：
日本新座市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨凯
优先权 ：
CN200510108523.9
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2008-12-10 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-07-05 ：
实质审查的生效
2006-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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