半导体发光元件及其制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法。半导体元件包括下述的(i)～(ii)。(i)具有从锥、锥台中选择的凸部的半导体层、(ii)电极，以及当凸部为锥台时，凸部高度为0.05μm～5.0μm，下底面的直径为0.05μm～2.0μm，在凸部为锥的情况下，凸部高度为0.05μm～5.0μm，底面的直径为0.05μm～2.0μm，而且，半导体发光元件的制造方法包括工序(a)～(c)。a)是在基板上生长半导体层的工序；(b)是在半导体层上形成包含平均粒径为0.01μm～10μm的粒子且面密度为2×106cm－2～2×1010cm－2的区域的工序；(c)是对半导体层进行干蚀刻而形成从锥及锥台中选择的凸部的工序。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101120451A
申请号 ：
CN200680004866.3
公开（公告）日 ：
2008-02-06
申请日 ：
2006-02-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
笠原健司上田和正
申请人 ：
住友化学株式会社
申请人地址 ：
日本国东京都
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200680004866.3
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L21/3065
法律状态
2011-11-23 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101215933602
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利申请号 : 2006800048663
公开日 : 20080206
号牌文件序号 : 101215933602
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利申请号 : 2006800048663
公开日 : 20080206
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2008-02-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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