发光元件及发光元件的制造方法

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摘要

形成在发光元件1的化合物半导体层100第二主表面的第二电极16，具备接合合金化层31与焊料层34，该接合合金化层31与化合物半导体层100的第二主表面接触设置，同时用于降低与该化合物半导体层100的接合阻抗，该焊料层34用于将该接合金属层连接于通电支持体52。该焊料层34，是由设置在接合合金化层31侧、以Sn为主成分且熔点低于接合合金化层31的Sn系金属构成的Sn系焊料层34s，以及位在该Sn系焊料层34s的接合合金化层31的相反侧、与Sn系焊料层34s接触的Au－Sn系焊料层34m所构成，且该Au－Sn系焊料层34m含有30质量％～90质量％的Au、与10质量％～70质量％的Sn，Au与Sn的合计含有量大于或等于80质量％，且熔点高于Sn系焊料层34s。藉此，在以Au－Sn系焊料层进行安装为前提的发光元件中，提供一种Au－Sn系焊料层与接合合金化层之间具有更加优异的接合可靠性，进而不易产生Au－Sn

基本信息

专利标题：

发光元件及发光元件的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101111946A

申请号：

CN200680003703.3

公开（公告）日：

2008-01-23

申请日：

2006-01-26

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

池田均小原正义

申请人：

信越半导体株式会社

申请人地址：

日本国东京都

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司

代理人：

楼高潮

优先权：

CN200680003703.3

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00 H01L21/28 B23K35/26 H01L21/52