高发光效率的发光元件的制造方法
授权
摘要
一种高发光效率的发光元件制造方法，包括利用一激光束照射一含半导体发光元件的晶片以将晶片切割成芯片，再以湿式酸蚀刻方式清除激光束切割时所产生的副产物(byproduct)。
基本信息
专利标题 ：
高发光效率的发光元件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1976067A
申请号 ：
CN200510126939.3
公开（公告）日 ：
2007-06-06
申请日 ：
2005-11-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐大正黄忠民谢明勋杨雅兰
申请人 ：
晶元光电股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510126939.3
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2008-07-30 ：
授权
2007-08-01 ：
实质审查的生效
2007-06-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN100407461C.PDF
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2、
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