发光元件及其制造方法
公开
摘要
改善发光元件的发光效率。一种发光元件，其具备：未掺杂或掺杂了n型掺杂剂的第1InAs层；包含InAsySb1‑y层(0＜y＜1)的活性层；和掺杂了p型掺杂剂的第2InAs层活性层，其中，在该活性层与该第2InAs层之间设置膜厚为5～40nm的AlxIn1‑xAs电子阻挡层(0.05≤x≤0.40)。
基本信息
专利标题 ：
发光元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616684A
申请号 ：
CN202080075882.1
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-10-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
门胁嘉孝樱庭涉吾田中治
申请人 ：
同和电子科技有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202080075882.1
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/06 H01L33/30 H01L33/00
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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