半导体发光元件的制造方法
专利权的终止
摘要
一种半导体发光元件的制造方法，在具有发光层(7)的第一芯片(22)的表面配置对来自发光层(7)的光透明的作为GaP衬底的第二芯片(23)。在夹紧面压5～500kg/cm2的范围内，经由具有应力缓和率1.5～3.0％的缓冲膜(24)对第一及第二芯片(22、23)的接触面作用压缩力，同时，在加热炉中进行加热。可不产生接合不良，而在整个面上接合第一及第二芯片(22、23)。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光元件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1770490A
申请号 ：
CN200510118739.3
公开（公告）日 ：
2006-05-10
申请日 ：
2005-10-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
井口缘织梅田浩仓桥孝尚渡边信幸村上哲朗
申请人 ：
夏普株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200510118739.3
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2015-12-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101638244874
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005101187393
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20080326
终止日期 : 20141031
号牌文件序号 : 101638244874
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005101187393
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20080326
终止日期 : 20141031
2008-03-26 ：
授权
2006-07-05 ：
实质审查的生效
2006-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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